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IBM展示提高3倍性能的晶体管 更小功能更大 |
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刘彦青编译 |
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计世网消息 美国当地时间本周一，IBM公司的研究人员称，他们已经成功地演示了一种提高晶体管性能的新技术，这将有助于它在未来十年内
制造更小和功能更强大的芯片。
IBM的研究人员桑会玲（音译）说，IBM已经发现了一种利用锗改进晶体管内电子流的方法，一层变形锗将被直接覆盖到晶体管的电路上，为电子流动提供更多的空间。桑会玲表示，与传统晶体管相比，使用变形锗制造的晶体管的性能提高了3倍。
桑会玲表示，研究人员很早就知道锗是一种比硅更好的电流导体，但一直没有解决利用传统技术在芯片中使用更高纯度的锗的问题。她说，IBM公司已经解决了这一问题，并已经掌握了如何对锗进行变形处理，进一步提高性能的方法。IBM公司计划在下周的“国际电子设备会议”上公布详细资料。
桑会玲指出，随着缩小晶体管已经越来越困难了，该技术向芯片厂商提供了另一种提高芯片性能的途径。尽管这一技术仍然处于研发阶段，但IBM公司相信它能够被应用在计划于2013年推出的0.032微米生产工艺中。
多年来，设计人员一直在通过缩小晶体管提高芯片的性能。晶体管越小，速度就越快，芯片的性能就越高。但由于晶体管的尺寸已经非常小，其中的电流会泄露出来，在目前的0.09微米生产工艺中，这一问题已经相当明显，预计在0.065微米生产工艺中会更严重。
IBM、英特尔以及其它芯片厂商也在开发除缩小晶体管尺寸之外的其它芯片制造技术。例如，英特尔公司计划在2010年使用三栅极晶体管技术。（刘彦青编译）
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（网页编辑：石头） |
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